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【技術(shù)文章】薄膜的力學(xué)性質(zhì)概述 2014-06-30

薄膜的力學(xué)性質(zhì)主要包括附著性質(zhì)、應(yīng)力性質(zhì)、彈性性質(zhì)和機(jī)械強(qiáng)度等。薄膜和基片之間的附著性能好壞將直接影響到薄膜的使用性能。在某些情況下還需考慮薄膜的其他力學(xué)性能，如主要用于增強(qiáng)基體的硬度與耐摩擦能力的超硬薄膜，則需要考慮耐壓強(qiáng)度。

【技術(shù)文章】現(xiàn)代薄膜分析方法 2014-06-25

針對不同的研究對象，常常需要采用不同的研究手段，對于薄膜材料的結(jié)構(gòu)或成分分析的研究也如此。對于早期的光學(xué)涂層薄膜材料，人們對其研究主要涉及薄膜的厚度、均勻性以及它的光學(xué)性能。在電子技術(shù)發(fā)展以后，人們對薄膜的研究相應(yīng)地擴(kuò)展到了薄膜的各種結(jié)構(gòu)特征、成分分布、界面...

【技術(shù)文章】Monte Carlo模擬方法需做以下處理 2014-06-23

(1)雖然沉積粒子所釋放的動能和結(jié)合能將導(dǎo)致沉積原子附近局部溫度升高，但整個基體的溫升是極其微小的，因此可認(rèn)為薄膜生長是等溫生長過程。 (2)當(dāng)人射粒子在基體表面上的能量足夠大時，該粒子不但可以在膜層表面進(jìn)行遷移運(yùn)動，甚至可以在垂直方向進(jìn)行運(yùn)動，若...

【技術(shù)文章】Monte Carlo模擬薄膜生長的模型 2014-06-20

模型的建立 薄膜沉積過程是一個非常復(fù)雜的物理化學(xué)變化過程。薄膜生長的整個過程不僅涉及到晶粒的生長、晶粒間的相互作用、邊界運(yùn)動等因素的機(jī)理，也涉及空間填補(bǔ)的拓?fù)鋷缀螜C(jī)理。因此，要對此進(jìn)行實(shí)際真實(shí)的模擬是不可能的，只能是針對研究的目的，建立合適的理想模...

【技術(shù)文章】薄膜生長是過程的算法三全表法KMC 2014-06-18

在這種方法中，對每一種可能的原子遷移都要枚舉，建立了一個包括各種可能發(fā)生的事件，以及每個事件對應(yīng)的激活能的大表。這是一種比較準(zhǔn)確的方法，但這種方法在具體應(yīng)用中非常復(fù)雜。例如當(dāng)初始位置和目標(biāo)位置各有12個最近鄰時，在遷移過程中總共就要涉及到18個晶位，那么就有...

【技術(shù)文章】薄膜生長是過程的算法二鍵計數(shù)KMC 2014-06-16

該方法用原子遷移時的激活能來確定某一事件的發(fā)生概率。激活能由遷移原子初始位置的最近鄰的數(shù)目確定，或者由遷移原子初始位置最近鄰的數(shù)目和遷移目標(biāo)位最近鄰的數(shù)目之差來確定。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是在所建立的模型比較合理時，能夠準(zhǔn)確地研究原子的環(huán)境變化。但是，激活能的計算并...

【技術(shù)文章】薄膜生長是一個隨機(jī)過程的算法一 2014-06-14

薄膜生長是一個隨機(jī)過程，利用Monte Carlo算法模擬薄膜的生長過程是研究其生長機(jī)理的有效途徑。目前，Monte Carlo法模擬薄膜生長主要有3種算法: 1)指定事件的Kinetic Monte Carlo(KMC) 這種...

【技術(shù)文章】計算機(jī)模擬薄膜形成過程的兩種方法 2014-06-12

隨著計算機(jī)科學(xué)的發(fā)展，從20世紀(jì)70年代開始，國際上許多研究工作者用計算機(jī)模擬方法研究薄膜的形成過程。利用計算機(jī)模擬薄膜形成過程時大體可以采用兩種方法:蒙特卡羅方法和分子動力學(xué)方法。 蒙特卡羅(Monte Carlo)方法又稱隨機(jī)模擬法或統(tǒng)計試驗(yàn)法...

【技術(shù)文章】薄膜結(jié)構(gòu)與沉積原子的人射方向也有關(guān) 2014-06-09

薄膜結(jié)構(gòu)與沉積原子的人射方向也有關(guān)。原子人射角的大小對薄膜結(jié)構(gòu)有很大影響，使薄膜產(chǎn)生各向異性。隨著結(jié)晶顆粒的增大，而入射的沉積原子就逐漸沿著原子的人射方向長大，于是會產(chǎn)生所謂的自身影響效應(yīng)，從而使薄膜表面出現(xiàn)凹凸不平，缺陷較多，并出現(xiàn)各向異性。這種沿原子人射...

【技術(shù)文章】低沉積速率使膜層結(jié)構(gòu)疏松 2014-06-04

低沉積速率使膜層結(jié)構(gòu)疏松，電子越過其勢壘產(chǎn)生電導(dǎo)的能力弱，加上氧化和吸附作用，所以電阻值較高，電阻溫度系數(shù)偏小，甚至為負(fù)值。隨著沉積速率的增大，電阻值也由大到小，而溫度系數(shù)卻由小到大，由負(fù)變正。這是由于低沉積速率的薄膜由于氧化而具有半導(dǎo)體特性，所以溫度系數(shù)出...